本研究针对传统SnO2薄膜沉积工艺存在的低生长速率、高杂质含量及高温结晶难题，采用Sn(dmamp)2和H2O2的原子层沉积(ALD)技术，实现了高纯度、低电阻率SnO2薄膜的低温制备（200℃），生长速率达0.11-0.15 nm/cycle，并成功将其作为模板诱导金红石TiO2生长，使MIM电容器介 ...

针对室内甲醛污染监测需求，研究人员通过调控水热时间（2-16 h）合成三维SnO2纳米材料，发现12 h处理的SnO2纳米球在240°C下对100 ppm甲醛响应值达43.95，兼具优异选择性和稳定性。该研究为开发高效MOS气体传感器提供了新思路。 随着工业化进程加速，室内甲醛污染 ...