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ASML实现EUV光刻光源千瓦级突破,芯片制造效率或迎大幅提升
全球半导体设备巨头阿斯麦(ASML)在极紫外(EUV)光刻技术领域取得里程碑式突破。据内部人士透露,其圣地亚哥研发中心成功开发出可稳定输出1000瓦功率的EUV光源系统,这项技术预计到2030年将使单台光刻机的芯片产能提升50%。该成果不仅刷新了行业 ...
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ASML全新EUV光刻机重大飞跃!1000W功率+50%、产能+50%
快科技2月25日消息,ASML阿斯麦近日确认,全新一代Twinscan NXE EUV光刻机研发进展顺利,光源功率将提升50%达到1000W,生产效率也将提升20%达到每小时330块晶圆,预计2030年或更晚时候面世。
2 月 24 日,据路透社报道,全球半导体设备龙头阿斯麦(ASML)在其圣地亚哥研发中心取得了一项关键技术突破:他们已成功研发出能稳定输出 1,000 瓦(1kW)功率的极紫外(EUV)光源系统。据预测,到 2030 ...
Substrate最终目标不仅是超越ASML,还计划成为芯片制造商本身。去年10月,Substrate宣布获得1亿美元融资。该公司计划利用资金在美国建设晶圆厂,公司将聚焦先进制程研发与生产,直接与台积电等领先代工企业竞争。
在芯片制造领域,全球唯一商业化生产极紫外光刻(EUV)设备的阿斯麦(ASML Holding)公司取得重大技术突破。该公司研究人员宣称,已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法,预计到2030年可使芯片产量提高多达50%。
随着光源功率跃升至千瓦级别,光刻机的产能也将随之实现跨越。据ASML测算,当光源功率提升至1000瓦后,2030年每小时晶圆处理能力可从220片提升至330片,增幅高达50%。
目前能够制造7nm以下先进制程的EUV光刻机,一台售价约2亿美元,只有ASML一家能够供应,且产能有限。而可以制造2nm先进制程的ASML的新一代高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5500的售价将更是高达3亿美元。
IT之家 2 月 23 日消息,据路透社今日报道,阿斯麦(ASML)的研究人员表示,他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法,到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。 IT之家注意到,阿斯麦极紫外(EUV)光源首席技术官迈克尔・珀维斯(Michael Purvis)在接受采访时表示:“这不是花拳绣腿,也不是那种只能在极短时间内演示可行的东西,这是一个能在客户实际生产环境的所有相同要求下, ...
近日据芯智讯报道,俄罗斯自研出EUV光刻机。这一重大突破或将打破ASML在该领域的技术垄断,为全球半导体产业带来新的变革。 EUV光刻机是制造先进芯片的关键设备,制造 EUV 光刻机的技术难度令人难以置信,全球还没有任何一个国家能单独造出EUV光刻机,即使 ...
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ASML突破EUV光刻机光源功率瓶颈:2030年晶圆产能或迎50%跃升
ASML公司近日宣布,其研发团队在极紫外(EUV)光刻机光源技术领域取得重大突破。据首席技术专家Michael Purvis透露,研究人员已成功开发出将现有EUV光刻机光源功率从600瓦提升至1000瓦的解决方案,这项技术突破并非实验室阶段的临时成果,而是构建了能够满足芯片制造企业实际生产需求的完整系统。
ASML在光刻机领域几乎是巨无霸的存在,而他们对于与中国企业合作也是非常欢迎,无奈一些关键细节上被美国卡死。 中国需要光刻机,尤其是支持先进制程的高端光刻机,特别是 EUV (极紫外光源)光刻机,不过ASML对这个机器是不放行的,主要是美国强制要求。
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