摘要:综述了后摩尔时代中两大发展热点:鳍式场效应晶体管(FinFET)纳电子学和基于量子计算新算法的量子芯片的发展历程和近两年的最新进展｡在FinFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展现状,包括FinFET的发展､10nm和7nm ...
时代发展的步伐不允许摩尔定律停滞，全社会的数字化转型、AI对算力的贪婪需求、自动驾驶技术突飞猛进，都要求半导体制造工艺持续更快速地迭代。这个时间节点之下的关键技术热点便是GAAFET（和chiplet）。但台积电和Intel仍将在3nm节点上使用FinFET晶体管，台 ...
FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor)，是由美籍华人科学家胡正明教授提出的，其中的Fin在构造上与鱼鳍非常相似，所以称为“鳍式”，而FET的全名是“场效电晶体” 。 FinFET是一种新的互补式金属氧半导体(CMOS)晶体管，源自于传统标准的晶体管 ...
FinFET(鳍式场效应晶体管)代表了半导体技术的一项革命性突破，与传统的平面MOSFET设计形成了显著区别。这种三维晶体管架构已成为现代半导体制造的基础，尤其是在器件尺寸不断缩小、性能和能效要求不断提升的背景下。O3Qednc FinFET技术的发展历程跨越数十年 ...
十多年前，FinFET的出现重新定义了芯片设计。虽然这些非平面晶体管仍然是非官方的行业标准，但它们的寿命可能已接近尾声··· 十多年前，FinFET的出现重新定义了芯片设计。虽然这些非平面晶体管仍然是非官方的行业标准，但它们的寿命可能已接近尾声。
Synopsys has launched Custom Compiler, a design solution intended to close what the company calls a FinFET productivity gap. Dave Reed, director of marketing for Synopsys’ mixed signal and analogue ...
SAN JOSE, Calif. -- 26 Sep 2014 -- Cadence Design Systems, Inc. (NASDAQ: CDNS), a leader in global electronic design innovation, today announced that its digital and custom/analog tools have achieved ...
FinFETs are not simple to work with. They’re difficult to manufacture, tricky to design, and they run the risk of greatly increased dynamic power density—particularly at 14/16nm, where extra margin is ...
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